60n65场效应管参数

场效应MOS管STW60N65M5参数

PD最大耗散功率：255W ID最大漏源电流：46A V(BR)DSS漏源击穿电压：650V RDS(ON)Ω内阻：0.059Ω VRDS(ON)ld通态电流：23A VRDS(ON)栅极电压：10V VGS(th)V开启电压：3~5V VGS(th)ld(μA)开启电流：250μASTW60N65M5 是一种高性能的功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），常用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。